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  Nexperia安世半導(dǎo)體宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應(yīng)用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于 PoE、eFuse 和繼電器替代產(chǎn)品的 100 V 應(yīng)用專用 MOSFET (ASFET)，采用 DFN2020 封裝，體積縮小 60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的 40 V NextPowerS3 MOSFET。

  PoE交換機(jī)通常有多達(dá)48個(gè)端口，每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護(hù)。單個(gè)PCB上有多達(dá)96個(gè)MOSFET，小型化器件封裝尺寸的解決方案極具吸引力。為此，Nexperia發(fā)布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封裝的100 V PoE ASFET，與以前采用LFPAK33封裝的版本相比，占用的空間減少了60%。這些器件的一個(gè)關(guān)鍵功能是通過限制浪涌電流來保護(hù)PoE端口，同時(shí)安全地管理故障情況。為了應(yīng)對(duì)這種情況，Nexperia將這些器件的安全工作區(qū)(SOA)增強(qiáng)了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。 這些ASFET還適用于電池管理、Wi-Fi熱點(diǎn)、5G微微蜂窩和閉路電視應(yīng)用，并且可以替代智能恒溫器中的機(jī)械式繼電器等。

由MOSFET開關(guān)引起的EMC相關(guān)問題通常只出現(xiàn)在產(chǎn)品開發(fā)周期的后期，解決這些問題可能會(huì)產(chǎn)生額外的研發(fā)成本并延遲市場(chǎng)發(fā)布。典型的解決方案包括使用更昂貴且RDS(on)較低的MOSFET(以減慢開關(guān)速度并吸收過多的電壓振鈴)或安裝外部電容緩沖器電路，但這種方法的缺點(diǎn)是會(huì)增加元件數(shù)量。Nexperia優(yōu)化了其40 V NextPowerS3 MOSFET，以提供與使用外部緩沖器電路可實(shí)現(xiàn)的相似的EMC性能，同時(shí)還提供更高的效率。這些MOSFET采用LFPAK56封裝，適用于各種應(yīng)用的開關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制器。